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DRAM 内存短缺或实质限制 H200 对华出口

云头条 2026-01-16 8

2026 年 1 月 16 日,据《彭博社》援引美国国会要员消息,内存芯片供应紧张正成为限制英伟达(Nvidia)向中国销售 H200 的关键因素,这一情况在美国商务部最新出口许可规定下尤为突出。

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共和党议员 John Moolenaar 在致商务部长 Howard Lutnick 的信中称,作为 AI 加速器关键组成部件的动态随机存取内存(DRAM)短缺,已成为新许可条件下的“紧迫挑战”。

美国商务部工业与安全局(BIS)本周发布的出口许可新规,原则上允许英伟达等美企在满足多项条件后向中国出口 H200 等 AI 芯片。新规明确要求出口商证明获批出口不会导致美国国内市场供给短缺,以及中国购买方不会将芯片用于未经授权用途等。

根据《彭博社》报道,Moolenaar 在信中强调,在当前全球内存供应格局下,尤其是高端 DRAM 供不应求的背景下,相关证明对出口商来说并非易事,这可能实质上限制美国商务部批准的对华 H200 出口许可证数量。  

美国放宽出口管制但设条件严苛

此前,美国政府已正式批准英伟达在严格条件下向中国出口 H200 芯片。

根据官方规定,对华出口的 H200 芯片必须经历第三方技术验证,并且中国客户获得的芯片数量不能超过美国客户购买总量的 50%。此外,出口商需采取严格“了解你的客户”(KYC)程序,确保芯片不会流向未经授权主体。

商务部新规将审查标准从“推定拒绝”转为“逐案审批”,这意味着出口许可审批仍具有很大不确定性,并附带商务部可能从相关交易中收取费用的规定。

尽管有条件放宽,但业内分析普遍认为这类限制,特别是要证明不会对美国供应造成影响,将使真正能够获得批准的出口许可数量远低于市场对 H200 的潜在需求  

DRAM 供应短缺背景加剧审批难度

本次美国国会要员提出的问题并非孤立。

全球半导体市场目前正经历一轮内存芯片供给紧张状态。

自 2024 年以来,由于 AI 数据中心对高带宽内存(HBM)与 DRAM 的巨量需求,以及制造商将产能战略性转向高利润产品,全球 DRAM 供应相对紧缺,价格持续走高  

这种供给不足并非简单的价格现象,而是对 AI 芯片生产链条产生实质性影响的结构性问题,AI 加速器如 H200 对内存带宽要求极高,任何 DRAM 短缺都会直接压制该类芯片的有效产出和可用库存。

在这一背景下,让出口商证明美国国内内存供给足够以支持 H200 大规模供应,正成为新规审批中的核心技术和商业约束条件。这一要求和当前 DRAM 供应状况之间的矛盾,使得有条件放行出口并非简单政策松绑,而是一项颇具挑战的许可流程。

综合当前政策动向和市场情况,美国商务部允许英伟达 H200 对华出口的新规虽看似放宽了管制,但附加条件和 DRAM 供应紧张的现实,使得对华出口许可证的实际批量受到实质性约束。从长期看,这一议题反映了美国在维持国家安全、供应链稳定全球技术竞争优势之间进行复杂平衡的政策取舍。

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