2026 年 9 月 1 日，据韩国《首尔经济日报》报道，三星电子正加速将存储器产能转向长期供货协议（LTA），截至 2031 年约 70% 的产能已经被纳入长期协议供货安排。

随着英伟达等科技企业扩大 AI 基础设施投入，HBM 供应持续紧张，部分产品现货价格已经达到长期合约价格的 4 至 5 倍。

三星此前在 7 月 30 日二季度业绩电话会上披露，已经与 5 家全球主要数据中心客户完成长期供货协议，并正在与另外 5 家 AI 相关大型客户进行最后阶段谈判。

三星计划最终将整体存储器产能的 60% 至 70% 纳入多年期供货合同，相关协议通常以 5 年为基础期限。

三星没有公布已经签约的 5 家客户完整名单。

韩国业界此前推测，这些客户可能包括 AWS、微软、Google、Meta 和 Oracle。

《首尔经济日报》报道则称，三星长期协议主要交易对象包括英伟达、微软和 Google 等。

长期协议正在提前锁定越来越多存储器供应，但 HBM 需求增长速度仍超过产能释放速度。

《首尔经济日报》称，即便部分大型科技企业已经签署长期合同，目前也无法获得全部约定的 HBM 数量，有限的现货供应进一步推高价格。

存储市场研究机构 MegaGrid Supply 数据显示，一款 36GB HBM3E 产品目前现货价格约为 2100 美元，而长期协议采购价格约为 50 万至 70 万韩元，现货价格约为长约价格的 4 至 5 倍。正在进入量产阶段的 16 层 HBM4，现货采购价格则达到约 3500 美元。

出口数据同样显示 HBM 价格继续走高。

韩国国际贸易协会数据显示，7 月韩国 HBM 平均出口单价达到 76.13 美元，环比上涨 9.5%，首次突破 70 美元。第二季度平均出口价格为 60.22 美元，相比第一季度的 40.94 美元上涨约 47%。

HBM4 扩产正在进一步挤压 DRAM 供应。

HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，而 HBM4 目前仍处于量产初期，良率低于 HBM3E，生产过程中需要消耗更多 DRAM 晶圆。随着英伟达下一代 Vera Rubin AI 加速器等产品开始导入 HBM4，存储器厂商需要将更多先进 DRAM 产能转向 HBM。

受此影响，普通 DRAM 价格也开始快速上涨。

7 月韩国 DRAM 平均出口单价达到 22.9 美元，环比上涨 24.3%。从 5 月至 7 月，包括 HBM 和 LPDDR 在内的 AI 芯片用 DRAM 出货量下降 13.2%，但同期出口金额增长 18.5%，反映存储器价格上涨速度已经超过出货量下降幅度。

面对持续紧张的供应，三星正在研究进一步增加 DRAM 产能。

《首尔经济日报》称，三星正在考虑最快从明年开始，将平泽园区部分晶圆代工产线转换为存储器生产设施。

随着越来越多产能通过多年协议提前锁定，全球存储器市场正在从过去以季度和年度采购为主，转向更长期的产能争夺。三星目前的目标是将 60% 至 70% 的存储器产能纳入长期协议，而最新产业界信息显示，这一比例正在接近 70%。HBM4 扩产、良率以及新增晶圆产能释放速度，将成为接下来存储器供应能否缓解的关键因素。

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